Как бы не воевали Apple и Samsung Electronics в судах, судя по всему, сотрудничать и конкурировать им предначертано не столько судьбой, сколько ситуацией в высокотехнологичной индустрии, где процветают только сильнейшие, причём сообща.

Вот уже долгие годы компания Apple пытается сократить свои закупки у Samsung Electronics, которая является её основным конкурентом на рынке смартфонов. Однако когда требуется произвести систему на чипе (system-on-chip, SoC) со сверхнизким энергопотреблением, используя передовой техпроцесс, в большом объёме и с высоким выходом годных кристаллов, то Samsung является одной из немногих компаний, способных выполнить задачу.

Судя по всему, производить один из компонентов высокоинтегрированной системы в корпусе (system-in-package, SiP) S1 для Apple Watch также будет Samsung. Деловое издание Business Korea некоторое время назад сообщило, ссылаясь на источники в индустрии, что Apple и Samsung подписали контракт на производство крошечного микропроцессора для умных часов Apple. Микросхема внутри Apple S1 должна иметь размер в несколько квадратных миллиметров и обладать чрезвычайно низким энергопотреблением, но при этом обеспечивать достаточно высокую вычислительную производительность. Чтобы создать такой чип, требуются не только первоклассные разработчики, но и тонкий техпроцесс, заточенный под устройства со сверхмалым энергопотреблением.

Принимая во внимание, что компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. разрабатывала 20-нм технологический процесс в первую очередь для систем на чипе для смартфонов и планшетов, есть вероятность, что такая технология не может быть использована для производства процессора для Apple S1 SiP. Как следствие, в Apple могли принять решение не использовать услуги TSMC, а обратиться к Samsung.

На сегодняшний день Samsung может предложить как минимум два техпроцесса для производства микропроцессоров для носимых устройств: это 14-нм технология с использованием транзисторов с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET), а также низковольтный 28-нм техпроцесс с применением подложек SOI с полностью обеднённым изолятором (fully-depleted silicon-on-insulator, FD-SOI). Согласно данным некоторых экспертов, обе технологии обеспечивают наименьшие токи утечек и  энергопотребление в состоянии покоя, наиболее важные качества для микросхем в носимых устройствах.

В начале октября на конференции ARM Tech Con компания Samsung не только показала работающий чип, созданный по технологии 14-нм FinFET, но и заявила, что техпроцесс полностью пригоден для массового производства и одобрен разработчиками микросхем. Согласно данным Samsung, эта технология производства обеспечивает 35-процентное снижение энергопотребления по сравнению с 20-нм процессом.

Не всё так гладко с технологией 28-нм FD-SOI. Во-первых, Samsung лицензировала её лишь в мае этого года, и не факт, что она готова к использование для массовых продуктов. Во-вторых, её преимущества над 20-нм технологией TSMC не очевидны. Впрочем, в случае если использование подложек SOI с полностью обеднённым изолятором может снизить потребление в состоянии покоя, а также токи утечки до минимальных уровней, то 28-нм FD-SOI может быть использован для производства микросхем для Apple Watch.

К сожалению, мы по-прежнему ничего не знаем об Apple S1 SiP. Внутреннее устройство Apple S1 показывает, что она содержит некую систему на чипе (вероятно, со встроенным графическим адаптером, оперативной памятью и т.п.), чип NAND флеш-памяти, разнообразные специализированные процессоры, коммуникационные чипы, различные датчики и сенсоры, микросхемы, отвечающие за ввод/вывод данных, а также за питание всех компонентов системы. Компания Apple называет S1 «полнофункциональный компьютер на чипе». Впрочем, сам факт наличия немалого количества различных аппаратных блоков показывает, что данная SiP может быть весьма мощной и многофункциональной.

Источник: 3dnews.ru